레이더는 기존 자동차의 ADAS 기능과 MaaS(Mobility as a Service, MaaS) 애플리케이션을 위한 주요 센서 기술 중 하나다. 특히 완전자율주행으로 가는 과정에서의 까다로운 사용 사례는 300m가 넘는 먼 거리에서도 볼 수 있도록 더 높은 무선주파수 성능이 필요하고, 작은 물체를 정확하게 감지, 분리, 분류하기 위해 정밀한 해상도가 필요하다.

이런 자동차 업계의 요구를 충족시키기 위해 NXP반도체가 2세대 RFCMOS 레이더 트랜시버 제품군인 TEF82xx를 출시 생산한다고 발표했다. TEF82xx는 시장에서 입증돼 이미 수천만 대가 출하된 TEF810x의 후속 모델이다. 빠른 처프(Chirp) 변조에 최적화된 이 장치는 계단식 고해상도 이미징 레이더를 포함한 단거리, 중거리, 장거리 레이더 애플리케이션을 지원한다. 아울러 자동 비상 제동, 적응형 크루즈 컨트롤, 사각지대 모니터링, 통행 차량 경고 시스템, 자동 주차를 포함한 중요 안전 애플리케이션의 360도 감지를 지원한다.

NXP의 S32R 레이더 프로세서 제품군은 NXP TEF82xx RFCMOS 레이더 트랜시버와 결합해 프로덕션 레디 이미징 레이더 솔루션에 필요한 미세한 분해능(angular resolution)과 처리 능력, 범위를 제공한다.

통합된 RFCMOS 칩에는 송신기 3개, 수신기 4개, ADC 변환기, 위상 회전기, 저위상 잡음 VCO(Voltage Controlled Oscilliator)가 포함돼 있다. NXP TEF82xx는 또한 MIPI-CSI2나 LVDS를 위한 내장 안전 모니터와 외부 인터페이스 기능을 포함하고 있으며 ISO26262와 ASIL 레벨 B 표준을 준수한다.

NXP의 RFCMOS 기술 노드와 프로덕션 설정을 기반으로 한 이 디바이스는 이전 세대에 비해 향상된 기능을 제공한다. +6 dB 위상 잡음 개선, -95 dBc/Hz 위상 잡음에서 14 dBm의 출력, 11.5 dB의 수신기 잡음 수치를 포함한 RF 성능이 두 배 이상 향상됐다. TEF82xx는 노출된 다이가 있는 초소형 eWLB 패키지를 사용해 높은 주변 온도에서도 고성능 레이더 애플리케이션의 까다로운 열 조건을 충족할 수 있도록 최적의 열 전달을 지원한다. 특히 4µs의 짧은 처프 복귀 시간은 전원을 켜는 시간을 줄여 센서 전력 소비를 줄이고 처프 간격을 좁혀 속도 추정 능력을 높인다.

NXP의 ADAS 부문 부사장 겸 총괄인 슈테펜 슈파나겔(Steffen Spannagel)은 "고성능 S32R45 프로세서와 함께 캐스케이드된 4x NXP TEF82xx 레이더 트랜시버가 필요한 고성능 이미징 레이더 애플리케이션의 경우, OEM은 방위각이나 표고에 대한 하위 해상도로 최대 300m 이상의 범위를 달성할 수 있다. 이미 TEF82xx를 기반으로 올해 말까지 생산 시작(SOP)을 목표로 최종 레이더 모듈 검증 단계에 있으며, 일부 자동차 OEM은 23년식과 24년식 모델 출시를 목표로 하고 있다"고 말했다.