전력 반도체는 전기자동차, 산업, 철도, 풍력, 데이터 센터, 로봇 등 다양한 분야에서 핵심 역할을 하고 있다. 전통적으로 반도체의 전기적 연결에는 와이어 본딩이 사용됐지만, 최근 고전압, 고주파 스위칭을 수행하는 SiC 및 GaN 전력 반도체에서 와이어 본딩이 전기적 특성 문제와 열 스트레스를 초래하고 있어 새로운 해결책이 요구되고 있다.

반도체 방열 솔루션 기업 코스텍시스가 와이어 본딩이 없는 첨단 전력 반도체 패키징 기술 ‘칩 스페이서’와 ‘비아 스페이서’를 선보였다.

코스텍시스의 ‘칩 스페이서’와 ‘비아 스페이서’는 본딩 와이어를 대체하고 기생 인덕턴스를 줄이고, 전기적 특성을 개선하며, 열 저항을 크게 감소시켜 전력 모듈의 신뢰성을 높일 수 있다.

이 제품은 2024년부터 글로벌 대형 고객사들과의 양산 퀄리티 테스트를 진행 중이다. 본격적인 양산은 올해 6월부터 시작될 예정이며, 이를 위한 시설 투자도 추진하고 있다.

현재 전 세계적으로 SiC 반도체 8인치 웨이퍼 양산을 위한 대규모 시설 투자가 진행되고 있는 가운데, 본딩 와이어를 대체하는 스페이서 수요도 급증할 것으로 보인다. 코스텍시스는 이러한 시장 상황을 기반으로 매출 성장에 대한 큰 기대를 표명했다.