삼성전자가  두께 0.65mm로, 12GB 이상 LPDDR D램 중 가장 얇은 '12나노급 12·16GB LPDDR5X 규격 D램 모듈' 양산을 시작했다고 밝혔다. 

이 D램 모듈은 칩 2개를 1단으로 구성해 총 4단으로 쌓는 패키지 기술로 두께를 이전 세대 제품 대비 약 9% 감소시키고, 열 저항을 약 21.2% 개선했다. 또한, 패키지 회로 기판을 수분, 열, 충격 등 다양한 외부환경으로부터 반도체 회로를 보호하는 전자파 적합성(EMC) 기술을 최적화했다.

웨이퍼 뒷면을 연마해 두께를 얇게 만드는 패키지 공정인 '백랩'으로 최소 두께 패키지를 구현했다. 추가적 여유 공간을 확보해 원활한 공기 흐름을 유도하고, 기기 내부 온도 제어에 도움을 줄 수 있다.

일반적으로 높은 성능을 필요로 하는 온디바이스 AI는 발열로 기기 온도가 일정 구간을 넘으면 기기의 손상을 막고자 클럭과 전압을 강제적으로 낮춰 온도를 낮추는 제어 기능인 '쓰로틀링'이 작동한다. 이번 제품을 탑재하면 발열로 인한 쓰로틀링의 작동 시간을 늦출 수 있어 기기 성능 감소를 최소화할 수 있다.

삼성전자는 6단 구조 기반 24GB, 8단 구조 32GB 모듈도 얇은 LPDDR D램 패키지로 개발해 고객의 요구에 맞춘 솔루션을 지속적으로 공급할 계획이다.

배용철 삼성전자 메모리사업부 상품기획실장 부사장은 “고성능 온디바이스 AI의 수요가 늘어나 LPDDR D램의 성능과 온도 제어 능력도 중요해졌다. 삼성전자는 기존 제품보다 얇은 저전력 D램을 지속적으로 개발하고, 고객과의 긴밀히 협력해 최적화된 솔루션을 제공하겠다.”고 말했다.