SK하이닉스가 10nm 공정의 6세대 1c 노드를 사용한 16Gb DDR5를 개발했다고 밝혔다.

이번에 성공한 메모리는 공정 기술에서 10nm에 더욱 가까운 수준으로 극한의 스케일링을 시작하는 중요한 이정표를 세웠다. 10nm급 DRAM 기술의 미세화 공정을 발전시키는 것은 세대가 거듭될수록 어려움이 증가했지만, SK하이닉스는 10nm 공정의 5세대인 1b 기술로 설계 완성도를 높여 기술적 한계를 극복했다.

SK하이닉스는 올해 안에 1c DDR5의 대량 생산을 준비하여 내년에 본격적인 출하를 시작할 것이라고 밝혔다.

메모리 공정 발전 과정에서 발생할 수 있는 잠재적인 오류를 줄이고, 높은 성능을 나타내는 1b DRAM의 장점을 가장 효율적으로 전환하기 위해, 1b DRAM의 플랫폼을 확장해 1c를 개발했다.

이 제품은 특정 EUV 공정에 새로운 소재를 채택하고, 전체 EUV 응용 공정을 최적화해 이전 세대에 비해 비용 효율이 높아졌다. SK하이닉스는 설계의 기술적 혁신을 통해 생산성을 30% 이상 향상시켰다.

고성능 데이터센터에 채택될 것으로 기대되는 1c DDR5의 작동 속도는 이전 세대보다 11% 향상되어 8Gbps에 이르렀다. 전력 효율도 9% 이상 개선되어, SK하이닉스는 AI 시대의 발전이 전력 소비 증가를 이끄는 시점에서 1c DRAM의 채택이 데이터 센터의 전기 비용을 최대 30% 절감하는 데 도움이 될 것으로 기대한다.

김종환 SK하이닉스 DRAM 개발 책임자이자 본부장은 "우리는 최고의 성능과 비용 경쟁력을 갖춘 1c 기술을 HBM, LPDDR6, GDDR7 등 주요 차세대 제품에 적용해 고객에게 차별화된 가치를 제공하기 위해 최선을 다하고 있다."라며 " DRAM 분야에서 리더십을 유지하고 가장 신뢰받는 AI 메모리 솔루션 제공업체로 자리매김하기 위해 계속 노력하겠다."고 말했다.