한국전자통신연구원(ETRI, 원장 방승찬)은 150나노(0.15㎛) 질화갈륨 마이크로파집적회로(MMIC) 설계키트(PDK) 공개발표회를 개최했다고 밝혔다.

질화갈륨(GaN) 반도체는 차세대 반도체 핵심 소재·소자로 스텔스기의 에이사(AESA) 레이더, 6G통신에 사용되는 등 기존 실리콘, 탄화규소 및 갈륨비소 반도체의 한계를 극복할 수 있는 대안으로 인정받는다.

특히 150나노 GaN 반도체는 오직 전 세계에서 6개 기관에서만 파운드리 생산이 가능하다. ETRI는 연구성과를 기반으로 K-방산 등 반도체 관련 기업을 적극적으로 지원할 예정이다.

150나노급은 초미세패턴으로 반도체 화합물 물성이 우수해 20GHz~30GHz에서도 동작할 수 있다. 또한 ETRI의 150나노급 GaN 소자 및 집적회로는 동작주파수 30GHz 대역에서도 동작할 수 있다.

연구진은 향후 시범서비스의 진행 상황을 검토하고 사용자 의견을 청취해 서비스를 개선해 나갈 예정이다.

방승찬 ETRI 원장은 “그동안 해외업체에 종속되어 있던 다양한 ICT 융합 애플리케이션에 적용할 수 있는 GaN 부품 공정의 자립화를 선도하게 되었다. 차세대 이동통신 및 레이다 등에 쓰이는 고출력 GaN 소자 국산화를 이룸으로써 수출 규제 대응 및 국제기술 경쟁에도 큰 도움이 될 전망이다.”라고 말했다.