한국전자통신연구원(ETRI)이 지난 6일(현지 시간) 미국 에너지부(DOE) 산하 아르곤 국립연구소(ANL)와 반도체 기술 개발을 위한 협력을 본격 추진한다고 17일 밝혔다.

ETRI는 2000년대 초부터 고에너지 입자 검출기용 실리콘 디텍터 개발 및 제작 기술을 보유하고 있으며, 실리콘 일괄공정이 가능하다.

ANL은 2023년부터 상보적 금속산화물 반도체(CMOS) IC가 집적된 실리콘 검출기(MAPS) 제작을 위해 ETRI와 협력을 추진해 왔다.

이번 협력으로 연구원과 ANL은 우주 환경에서 발생하는 고에너지 입자를 검출·분석하기 위한 새로운 반도체 기술 개발에 힘을 모을 예정이다.

특히, ETRI는 반도체 검출기의 국내 제작을 위해 고온 및 저온 환경과 방사선이 강한 극한의 환경에서도 견딜 수 있는 반도체 기술의 경쟁력을 확보하고 우주항공, 국방 분야의 기술 산업화 제고에 기여할 계획이다.

ETRI 방승찬 원장은 “ANL의 연구 역량과 ETRI의 기술력이 결합돼 새로운 도약의 기회를 열어줄 것으로 기대한다.”라고 말했다.

ANL 디렉터 폴 컨스(Paul Kearns)는 “전자이온충돌기(EIC: Electron-Ion Collider) 뿐만 아니라 추후 다양한 기술 분야로 협력을 확대할 것”이라고 말했다.